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半导体行业SiC衬底:产业瓶颈亟待突破,国内厂商加速发展-20211123-25页

# 半导体行业 # SiC衬底 # 产业瓶颈 大小:1.68M | 页数:25 | 上架时间:2021-11-25 | 语言:中文

类型: 行研

上传者: YXM-187

撰写机构: 安信证券

出版日期: 2021-11-23

摘要:

■衬底是产业链最核心的环节,直接制约碳化硅应用放量:碳化硅材料属于第三代半导体,碳化硅产业链分为衬底材料制备、外延层生长、器件制造以及下游应用,衬底属于碳化硅产业链上游,制备工艺复杂,生长速度慢,产出良率低,是碳化硅产业链亟待突破的最核心部分,也是国内外厂商重点发力的环节。根据CASA,产业链价值量集中于衬底环节,目前价值量占整个产业链50%左右。与硅相比,碳化硅衬底制备技术壁垒高,成本远高于硅衬底。

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