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目前SiC这种宽禁带半导体材料已经显露出良好的前景，SiC衬底上适合生长多种外延。其中SiC上长SiC外延适合做功率器件，SiC功率器件比传统的Si功率器件有着更好的性能，更高的功率密度，在新能源汽车，光伏逆变器，高铁动力单元上有这广泛的应用；SiC还和GaN有着非常好的晶格适配性，两者适配度超过95%，是GaN外延片的最佳搭档，GaN未来在特色光电，5G毫米波射频PA，以及航天军工领域也有巨大的需求，因此SiC能满足当下两种最具价值——SiC外延片和GaN外延片的对衬底材料需求，具有“一材两用”的特性，因此业内广泛流传“得SiC者得天下”这样的说法。
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