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■碳化硅具备耐高压、耐高温、高频、抗辐射等优良电气特性，突破硅基半导体材料物理限制，是第三代半导体核心材料：碳化硅材料的禁带宽度大约为硅材料的三倍，且硅材料的极限温度不足碳化硅材料的二分之一，这些物理特性使得碳化硅材料更好地应用于高压、高温环境。此外，相比于硅基器件，同性能的碳化硅器件尺寸更小、重量更轻、能量损耗更少。在高温、高压、高频领域，碳化硅将逐步替代硅器件，如5G 通讯基站、轨道交通、特高压输电、新能源汽车等领域。碳化硅优异的性能符合下游市场的新兴需求，以新能源汽车为例，采用碳化硅器件可延长电动车的行驶里程、缩短电动车的充电时间以及扩大电池容量等，越来越多的新能源汽车企业布局碳化硅器件使用。
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