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本周重点关注：GAA 新技术成功流片延续摩尔定律，全球半导体行业继续高景气
近日，三星对宣布其基于GAA 技术的3nm 制程成已成功流片（Tape Out）。这是半导体革命一个新的里程碑事件。GAA 技术对于晶体管的持续微缩提升效能至关重要。3nm GAA 的关键特性是阈值电压可以压至 0.3V。与 3nm FinFET 相比，能够以更低的待机功耗实现更高使用效率。GAA 架构得天独厚的架构优势使得技术工艺提升至3nm 以下后仍然保持着高稳定性和高效能，这就是延续摩尔定律的关键。
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